• Intel dan SoftBank berkolaborasi untuk mengembangkan Memori Z-Angle bertumpuk generasi berikutnya
  • Prototipe diharapkan pada tahun 2028, dengan peluncuran komersial direncanakan pada tahun 2029
  • Konsumsi daya diperkirakan turun 40 hingga 50% dibandingkan dengan HBM

Intel dan Saimemory yang didukung SoftBank telah mengonfirmasi kemitraan untuk mengembangkan Z-Angle Memory, arsitektur DRAM bertumpuk yang ditujukan untuk AI dan beban kerja komputasi berkinerja tinggi.

Laporan dari Nikkei Asia Dan Wallstreet.cn menggambarkan teknologi ini sebagai desain memori vertikal yang bertujuan untuk melampaui memori bandwidth tinggi saat ini dalam hal kapasitas dan efisiensi.





Tautan sumber